在芯片制造过程中，超纯水的品质直接影响芯片的良率和性能。后端净水过滤设备作为超纯水制备的最后一道防线，承担着去除痕量杂质、稳定水质参数的重要职责，确保进入光刻、蚀刻等核心工艺的水达到 18.2MΩ・cm 的电子级标准。本篇文章我将为您详细介绍后端净水过滤的关键设备及其功能。

一、预处理设备：去除粗杂质，保护后续精密系统

多介质过滤器：填充不同粒径的石英砂、无烟煤，去除原水中的悬浮物、胶体颗粒，将浊度降至 0.5NTU 以下，避免划伤后续膜元件。

活性炭过滤器：采用椰壳活性炭，吸附原水中的余氯使其降至 0.1ppb 以下、农药、洗涤剂等小分子有机物和异味，防止氯氧化反渗透膜和树脂。

软化器 / 超滤（UF）:软化器（钠离子交换树脂交换钙镁离子）降低水的硬度，防止后续系统结垢；超滤膜进一步去除胶体、微生物，降低污染风险，尤其适合高浊度原水。

二、深度脱盐设备：核心脱盐与纯化

反渗透（RO）系统，配套保安过滤器（0.2μm 滤芯），防止微粒进入 RO 膜。

一级 RO：采用低压高脱盐率膜，去除 95% 以上的离子和 90% 的有机物，产水电阻率 1-5MΩ・cm；

二级 RO：进一步脱盐，离子去除率超 99.5%，有机物（TOC）降至 5ppb 以下，产水电阻率 5-10MΩ・cm。

电去离子EDI模块：在电场作用下，通过离子交换树脂和膜深度除盐，无需化学再生，将二级 RO 产水中的 SiO₂、CO₂等痕量离子去除，产水电阻率提升至 15-18MΩ・cm，TOC<3ppb。

三、终端精制设备：去除痕量杂质

抛光混床：由电子级阴、阳离子交换树脂组成，吸附 EDI 产水中的K⁺、Ca²⁺等ppt 级痕量离子，将电阻率稳定在 18.2MΩ・cm，是超纯水的 “最后脱盐屏障”。

紫外线（UV）氧化器:采用 185nm 深紫外光，氧化水中残留的小分子有机物，将其降至 1ppb 以下，避免有机物污染芯片表面。

终端超滤:用 0.02μm 孔径膜，截留水中树脂碎片、微生物尸体等微小颗粒，确保产水颗粒数（≥0.1μm）<1 个 /mL。

终端微滤器:安装在光刻、蚀刻等设备入口，用 0.1μm 或 0.05μm 滤芯，作为 “最后一道防线”，截留任何可能的微量杂质。

四、辅助系统：保障稳定与防污染

加药系统有阻垢剂：防止 RO 膜结垢；还原剂：去除原水中的余氯，保护 RO 膜；pH 调节剂：优化 RO 进水 pH，提升脱盐效率。

循环与储水系统：316L 不锈钢水箱（内壁电解抛光，避免溶出杂质）：循环泵维持水流速 > 1m/s，防止微生物滋生和微粒沉积；在线监测系统：实时监测电阻率、TOC、颗粒数、温度等参数，数据及时更新，超标时自动报警并切换至备用系统，确保水质零波动。

总而言之，芯片制造业的过滤净水设备是 “层层递进” 的精密系统：预处理粗筛大颗粒→RO/EDI 脱盐去离子→终端设备精滤除痕量杂质，最终为光刻、蚀刻等核心工艺提供 “无离子、无有机物、无颗粒” 的超纯水，保障芯片良率和性能。

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